BSB012N03LX3 G
Tillverkare Produktnummer:

BSB012N03LX3 G

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

BSB012N03LX3 G-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 39A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™

Inventarier:

12801744
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

BSB012N03LX3 G Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
39A (Ta), 180A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
169 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
16900 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / Fodral
3-WDSON

Ytterligare information

Standard-paket
5,000
Andra namn
BSB012N03LX3G
BSB012N03LX3 G-DG
SP000597846
BSB012N03LX3 GDKR-DG
BSB012N03LX3 GDKR
BSB012N03LX3GTR
BSB012N03LX3 GCT
BSB012N03LX3GXT
BSB012N03LX3GDKR
BSB012N03LX3GXUMA1
BSB012N03LX3 GTR-DG
BSB012N03LX3 GCT-DG
BSB012N03LX3GCT

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
comchip-technology

CMS45P03H8-HF

MOSFET P-CH 30V 9.6A/45A DFN5X6

infineon-technologies

BSC010N04LSIATMA1

MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON

infineon-technologies

IPA60R180P7XKSA1

MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220

infineon-technologies

AUIRLS3036TRL

MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK